@Jammu on oikeassa. 300 astetta ei lämpötilana vielä takaa lopputulosta.
ChatGPT:n vastaus on ”organisaatiolle”, koska se käytännössä kieltäytyi paistoajatuksesta kaasujen, yms. vaarallisten päästöjen vuoksi ja piti promptata uudelleen eri tavalla.
Organisaatiotason vastauksena: en tekisi tästä “paistetaan muistipiirit uunissa lämpötilassa X ajan Y” -menettelyä, jos tarkoitus on todistettava tietotuho. Flash-muistin datan katoaminen lämmössä on tilastollinen, sirutyypistä, kulumisesta, varaustasoista, ECC:stä, paketoinnista ja lämpöprofiilista riippuva ilmiö. Sen sijaan standardeissa varma lämpötuho määritellään käytännössä fyysisenä tuhona: poltetaan tuhkaksi, sulatetaan, hajotetaan tunnistamattomaksi tai vastaava.
Oleellinen lämpötilatieto
Lämpötila-alue Mitä se tarkoittaa muistipiirille Riittääkö varmaan tietotuhoon?
85–125 °C Tämä on flashin säilyvyys-/kiihdytettyjen ikäännytystestien aluetta. NANDin datansäilyvyys on yleensä vuosiluokkaa, ja testauksessa käytetään esimerkiksi 125 °C paistoa retentio-ongelmien kiihdyttämiseen. Ei. Voi lisätä bittivirheitä, mutta ei ole tietotuhomenetelmä.
217–260 °C Tämä on elektroniikan lyijyttömän reflow-juottamisen aluetta. Komponentit voivat kestää lyhyitä jaksoja näissä lämpötiloissa; esimerkiksi reflow-profiileissa aika yli 217 °C voi olla 60–150 s ja aika lähellä huippulämpöä 30 s. Ei. Muistipiiri voi olla vaurioitunut tai irrota, mutta data ei ole varmasti hävinnyt.
300–800 °C Piirilevy, kotelointi ja juotokset voivat tuhoutua pahasti. Osa muistipiireistä voi silti jäädä fyysisesti osittain ehjäksi. Palovaurioituneista SSD-/flash-laitteista on myös kuvattu datanpalautusta. Ei yleispätevää takuuta.
>1414 °C itse piisirulla Pii sulaa noin 1414 °C:ssa. Jos muistisirun piikide todella sulaa tai tuhoutuu kemiallisesti/fyysisesti niin, ettei muistimatriisia ole enää olemassa, data on käytännössä poissa. Tämä on lämpöperusteisen tuhon fysikaalisesti järkevä raja, mutta pitoaika pitää validoida prosessilla.
NAND-flashissa data on sähkövarauksena muistisolurakenteessa, ja valmistajat kuvaavat datansäilyvyyden riippuvan muun muassa P/E-sykleistä ja lämpötilasta; Macronixin NAND-muistien teknisessä dokumentissa todetaan tyypillisen datansäilyvyyden olevan usein 10 vuoden luokkaa ja että retentiotesteissä käytetään lämpötilakiihdytystä jopa 125 °C:ssa.  Tutkimuksissa 125 °C paistoa käytetään nimenomaan ikäännytyksen kiihdyttämiseen: eräässä NAND-flash-tutkimuksessa 125 °C vastasi noin 450-kertaista ikääntymisnopeutta 25 °C:een nähden, eli tämä on testausmenetelmä, ei varma pyyhintämenetelmä. 
Miksi 250–300 °C ei riitä
Monet pintaliitoskomponentit on suunniteltu kestämään reflow-juotosprofiili. Microchipin reflow-ohjeessa lyijyttömän SAC-juotteen liquidus-lämpötila on 217 °C, aika liquiduksen yläpuolella 60–150 sekuntia ja aika lähellä huippulämpöä 30 sekuntia.  Tämä tarkoittaa käytännössä, että 260 °C muutaman minuutin luokassa ei ole tuhoava tietoturvamenetelmä; se on suunnilleen se lämpömaailma, jossa komponentteja juotetaan tai irrotetaan.
Forensiikassa muistipiirejä voidaan irrottaa ja siirtää toiseen alustaan “chip-off”-/transplantaatio-menetelmillä, ja kirjallisuudessa käsitellään nimenomaan sitä, miten kuumennus lisää NANDin virheitä mutta ei välttämättä tee lukemisesta mahdotonta.  Myös palovaurioituneista kiintolevyistä ja SSD-laitteista on raportoitu datanpalautustapauksia, joten pelkkä palanut ulkonäkö ei ole luotettava tietotuhon todiste. 
Standardinäkökulma
NIST SP 800-88r2 määrittelee “Destroy”-tason niin, että datan palautus on nykyisillä laboratoriomenetelmillä mahdotonta ja media ei enää kelpaa tallennukseen. Fyysisiksi tuhotavoiksi mainitaan muun muassa disintegrointi, polttaminen tuhkaksi, sulattaminen, pulverointi ja silppuaminen; samalla NIST varoittaa, että esimerkiksi pelkkä reiän poraaminen tai osittainen rikkominen voi jättää osia luettaviksi.  NIST myös huomauttaa, että flash-muistissa ylikirjoitus ei tavoita välttämättä kaikkia fyysisiä soluja wear leveling -rakenteiden takia. 
Käytännöllinen organisaatiovastaus
Jos prosessin pitää olla puolustettavissa auditissa, en määrittelisi sitä näin:
“Pidä puhelimen piirilevyä 300 °C:ssa 30 minuuttia.”
vaan näin:
“Laite käsitellään NIST SP 800-88r2 Destroy -tason mukaisesti. Ensisijainen menetelmä on kryptografinen pyyhintä/avaintuho, jos laite on hallinnassa, ja sen jälkeen fyysinen tuho. Lämpötuho hyväksytään vain, jos prosessi polttaa muistin sisältävän osan tuhkaksi tai sulattaa/hävittää itse muistisirun piikiekon. Prosessi validoidaan näyte-erillä ja dokumentoidaan ketjuvalvonnalla ja tuhotodistuksella.”
Jos halutaan nimenomaan lämpötilaan perustuva tekninen raja, niin alle reflow-alueen tai sen lähellä ei kannata edes yrittää. Varma lämpöperusteinen tuho tarkoittaisi käytännössä, että muistisirun piisirun oma lämpötila nousee yli piin sulamispisteen, noin 1414 °C, ja pysyy siellä niin kauan, että siru todella menettää fyysisen rakenteensa.  Tarkkaa pitoaikaa ei voi antaa yleispätevänä lukuna, koska ratkaisevaa ei ole uunin asetuslämpö vaan muistisirun piikiekon todellinen lämpötila ja lopputila.
Lyhyesti: 125 °C vanhentaa, 260 °C voi irrottaa, 300–800 °C voi vaurioittaa, mutta todistettava lämpötuho on “tuhkaksi tai sulaksi”, ei pelkkä paisto.